
SI7997DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7997DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 60A 46W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7997DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 60A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,5mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 160nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6200pF a 15V | |
Potenza - Max | 46W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.34000 | Fr. 2.34 |
| 10 | Fr. 1.51900 | Fr. 15.19 |
| 100 | Fr. 1.04850 | Fr. 104.85 |
| 500 | Fr. 0.86904 | Fr. 434.52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.73389 | Fr. 2’201.67 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.52954 |











