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SI7997DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7997DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 60A 46W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7997DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 160nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6200pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 46W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 20A, 10V |
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In magazzino: 3’251
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.93000 | Fr. 2.93 |
| 10 | Fr. 1.91300 | Fr. 19.13 |
| 100 | Fr. 1.33420 | Fr. 133.42 |
| 500 | Fr. 1.08706 | Fr. 543.53 |
| 1’000 | Fr. 1.08365 | Fr. 1’083.65 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.90694 | Fr. 2’720.82 |
| 6’000 | Fr. 0.88533 | Fr. 5’311.98 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.16733 |
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