Name: SI8483DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8483DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.44321 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI8483DB-T2-E1
Codice DigiKey	SI8483DB-T2-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI8483DB-T2-E1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI8483DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI8483DB-T2-E1
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 16 A (Tc) 2,77W (Ta), 13W (Tc) A montaggio superficiale 6-Micro Foot™ (1,5x1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	26mohm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	800mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1840 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-Micro Foot™ (1,5x1)
Contenitore/involucro	6-UFBGA
Codice componente base	SI8483

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 6’489

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)