
SI8812DB-T2-E1 | |
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Codice DigiKey | SI8812DB-T2-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI8812DB-T2-E1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI8812DB-T2-E1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 4-Microfoot |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI8812DB-T2-E1 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 59mohm a 1A, 4,5V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 8 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±5V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Contenitore del fornitore 4-Microfoot |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.62000 | Fr. 0.62 |
| 10 | Fr. 0.38400 | Fr. 3.84 |
| 100 | Fr. 0.24760 | Fr. 24.76 |
| 500 | Fr. 0.18852 | Fr. 94.26 |
| 1’000 | Fr. 0.16948 | Fr. 169.48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.14527 | Fr. 435.81 |
| 6’000 | Fr. 0.13308 | Fr. 798.48 |
| 9’000 | Fr. 0.12686 | Fr. 1’141.74 |
| 15’000 | Fr. 0.11988 | Fr. 1’798.20 |
| 21’000 | Fr. 0.11574 | Fr. 2’430.54 |
| 30’000 | Fr. 0.11173 | Fr. 3’351.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.67022 |


