Name: SI8817DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8817DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.65941 CHF
Availability: InStock

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SI8817DB-T2-E1
Codice DigiKey	SI8817DB-T2-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI8817DB-T2-E1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI8817DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI8817DB-T2-E1
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2,1 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 4-Microfoot
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 615 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 4-Microfoot
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,1 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-XFBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base SI8817
RDSon (max) a Id, Vgs 76mohm a 1A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.61000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.65941

SI8817DB-T2-E1