
SI9933CDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI9933CDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI9933CDY-T1-GE3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 58mohm a 4,8A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 26nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 665pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 3,1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.83000 | Fr. 0.83 |
| 10 | Fr. 0.51900 | Fr. 5.19 |
| 100 | Fr. 0.33870 | Fr. 33.87 |
| 500 | Fr. 0.26100 | Fr. 130.50 |
| 1’000 | Fr. 0.23596 | Fr. 235.96 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.20885 | Fr. 522.12 |
| 5’000 | Fr. 0.19208 | Fr. 960.40 |
| 7’500 | Fr. 0.18354 | Fr. 1’376.55 |
| 12’500 | Fr. 0.17394 | Fr. 2’174.25 |
| 17’500 | Fr. 0.16826 | Fr. 2’944.55 |
| 25’000 | Fr. 0.16274 | Fr. 4’068.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89723 |







