
SI9933CDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI9933CDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI9933CDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 58mohm a 4,8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 26nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 665pF a 10V | |
Potenza - Max | 3,1W | |
Temperatura di funzionamento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.80000 | Fr. 0.80 |
| 10 | Fr. 0.49800 | Fr. 4.98 |
| 100 | Fr. 0.32500 | Fr. 32.50 |
| 500 | Fr. 0.25050 | Fr. 125.25 |
| 1’000 | Fr. 0.22647 | Fr. 226.47 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.20044 | Fr. 501.10 |
| 5’000 | Fr. 0.18436 | Fr. 921.80 |
| 7’500 | Fr. 0.17616 | Fr. 1’321.20 |
| 12’500 | Fr. 0.16695 | Fr. 2’086.88 |
| 17’500 | Fr. 0.16241 | Fr. 2’842.18 |
| 25’000 | Fr. 0.16010 | Fr. 4’002.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.80000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.86480 |









