Name: SIA108DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA108DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.28639 CHF
Availability: InStock

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SIA108DJ-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIA108DJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIA108DJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIA108DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA108DJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 6,6A (Ta), 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 545 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,6A (Ta), 12A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SIA108
RDSon (max) a Id, Vgs 38mohm a 4A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.19000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.28639

SIA108DJ-T1-GE3