
SIA445EDJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA445EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA445EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA445EDJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA445EDJ-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16,5mohm a 7A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2130 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.47000 | Fr. 0.47 |
10 | Fr. 0.46600 | Fr. 4.66 |
100 | Fr. 0.32820 | Fr. 32.82 |
500 | Fr. 0.25300 | Fr. 126.50 |
1’000 | Fr. 0.22877 | Fr. 228.77 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.19488 | Fr. 584.64 |
6’000 | Fr. 0.18248 | Fr. 1’094.88 |
9’000 | Fr. 0.17458 | Fr. 1’571.22 |
15’000 | Fr. 0.16948 | Fr. 2’542.20 |
21’000 | Fr. 0.16200 | Fr. 3’402.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.47000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.50807 |