Name: SIA483ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA483ADJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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SIA483ADJ-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIA483ADJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIA483ADJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIA483ADJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA483ADJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 10,6A (Ta), 12A (Tc) 3,4W (Ta), 17,9W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIA483ADJ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,6A (Ta), 12A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max)	+16V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	950 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,4W (Ta), 17,9W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SC-70-6
Contenitore/involucro	PowerPAK® SC-70-6
Codice componente base	SIA483

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)