
SIA910EDJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA910EDJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA910EDJ-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 12V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 28mohm a 5,2A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16nC a 8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 455pF a 6V | |
Potenza - Max | 7,8W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.48000 | Fr. 0.48 |
10 | Fr. 0.35900 | Fr. 3.59 |
100 | Fr. 0.25620 | Fr. 25.62 |
500 | Fr. 0.23796 | Fr. 118.98 |
1’000 | Fr. 0.21493 | Fr. 214.93 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.19678 | Fr. 590.34 |
6’000 | Fr. 0.17405 | Fr. 1’044.30 |
9’000 | Fr. 0.16345 | Fr. 1’471.05 |
15’000 | Fr. 0.15502 | Fr. 2’325.30 |
21’000 | Fr. 0.15003 | Fr. 3’150.63 |
30’000 | Fr. 0.15000 | Fr. 4’500.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.48000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.51888 |