SIA914DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SIA914DJ-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

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SIA914DJ-T1-GE3
Codice DigiKey	SIA914DJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA914DJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4,5A 6,5W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5A
RDSon (max) a Id, Vgs	53mohm a 3,7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11,5nC a 8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	400pF a 10V
Potenza - Max	6,5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® SC-70-6 doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SC-70-6 doppio
Codice componente base	SIA914