Name: SIA918EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA918EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.48645 CHF
Availability: InStock

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SIA918EDJ-T1-GE3
Codice DigiKey	SIA918EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA918EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA918EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA918EDJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4,5 A (Tc) 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIA918EDJ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	58mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	-
Potenza - Max	7,8W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® SC-70-6 doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SC-70-6 doppio
Codice componente base	SIA918

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)