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SIA921EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA921EDJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA921EDJ-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 59mohm a 3,6A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 7,8W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A |
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In magazzino: 28’254
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.91000 | Fr. 0.91 |
| 10 | Fr. 0.57000 | Fr. 5.70 |
| 100 | Fr. 0.37360 | Fr. 37.36 |
| 500 | Fr. 0.28904 | Fr. 144.52 |
| 1’000 | Fr. 0.26178 | Fr. 261.78 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.22716 | Fr. 681.48 |
| 6’000 | Fr. 0.20972 | Fr. 1’258.32 |
| 9’000 | Fr. 0.20084 | Fr. 1’807.56 |
| 15’000 | Fr. 0.19086 | Fr. 2’862.90 |
| 21’000 | Fr. 0.18495 | Fr. 3’883.95 |
| 30’000 | Fr. 0.17921 | Fr. 5’376.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.91000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.98371 |
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