
SIA923EDJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA923EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA923EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA923EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA923EDJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA923EDJ-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 54mohm a 3,8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25nC a 8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 7,8W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.81000 | Fr. 0.81 |
10 | Fr. 0.50300 | Fr. 5.03 |
100 | Fr. 0.32820 | Fr. 32.82 |
500 | Fr. 0.25300 | Fr. 126.50 |
1’000 | Fr. 0.22877 | Fr. 228.77 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.19798 | Fr. 593.94 |
6’000 | Fr. 0.18248 | Fr. 1’094.88 |
9’000 | Fr. 0.17458 | Fr. 1’571.22 |
15’000 | Fr. 0.16960 | Fr. 2’544.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.81000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.87561 |