
SIAA02DJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIAA02DJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIAA02DJ-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,6V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +12V, -8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1250 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 19W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,7mohm a 8A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.77000 | Fr. 0.77 |
| 10 | Fr. 0.48000 | Fr. 4.80 |
| 100 | Fr. 0.31180 | Fr. 31.18 |
| 500 | Fr. 0.23946 | Fr. 119.73 |
| 1’000 | Fr. 0.21618 | Fr. 216.18 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18657 | Fr. 559.71 |
| 6’000 | Fr. 0.17167 | Fr. 1’030.02 |
| 9’000 | Fr. 0.16407 | Fr. 1’476.63 |
| 15’000 | Fr. 0.15554 | Fr. 2’333.10 |
| 21’000 | Fr. 0.15048 | Fr. 3’160.08 |
| 30’000 | Fr. 0.14557 | Fr. 4’367.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.77000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.83237 |

