Name: SIDR220EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR220EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.26995 CHF
Availability: InStock

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SIDR220EP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIDR220EP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIDR220EP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIDR220EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIDR220EP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 92,8A (Ta), 415A (Tc) 6,25W (Ta), 415W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,58mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Carica del gate (Qg) max a Vgs 200 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +16V, -12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10850 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 415W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 92,8A (Ta), 415A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8DC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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In magazzino: 2’996

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 1.32479	Fr. 3’974.37

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.95000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.26995

SIDR220EP-T1-RE3