Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.63216 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIDR510EP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIDR510EP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIDR510EP-T1-RE3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,6mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4980 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33A (Ta), 148A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8DC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8