SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR578EP-T1-RE3

Codice DigiKey
742-SIDR578EP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIDR578EP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIDR578EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIDR578EP-T1-RE3
Descrizione
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 17,4A (Ta), 78A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17,4A (Ta), 78A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2540 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
7,5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8DC
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIDR578
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In magazzino: 6’336
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.14000Fr. 3.14
10Fr. 2.06400Fr. 20.64
100Fr. 1.44930Fr. 144.93
500Fr. 1.29560Fr. 647.80
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 1.05850Fr. 3’175.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.39434