SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIDR626DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIDR626DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIDR626DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIDR626DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 42,8 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen IV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
42,8 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5130 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6,25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8DC
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIDR626
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In magazzino: 7’122
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.60000Fr. 2.60
10Fr. 1.85000Fr. 18.50
100Fr. 1.29060Fr. 129.06
500Fr. 1.12364Fr. 561.82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.91800Fr. 2’754.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.60000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.81060
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