


SIDR870ADP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIDR870ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIDR870ADP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 95 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIDR870ADP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,6mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 80 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2866 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8DC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.94000 | Fr. 1.94 |
10 | Fr. 1.37100 | Fr. 13.71 |
100 | Fr. 0.99050 | Fr. 99.05 |
500 | Fr. 0.80968 | Fr. 404.84 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.66150 | Fr. 1’984.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.94000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.09714 |