Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 5.56715 CHF
Availability: InStock

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SIEH4800EW-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIEH4800EW-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 BWL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,15mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 278 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 29000 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,4W (Ta), 417W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34A (Ta), 381A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8 BWL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerDFN