Nuovo prodotto
8 PowerDFN
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8 PowerDFN
8 PowerDFN

SIEH4800EW-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIEH4800EW-T1-GE3
Descrizione
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore
7 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 BWL
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
34A (Ta), 381A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,15mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
29000 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,4W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 8 x 8 BWL
Contenitore/involucro
8-PowerDFN
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In magazzino: 3’000
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.94000Fr. 4.94
10Fr. 3.31700Fr. 33.17
100Fr. 2.67120Fr. 267.12
500Fr. 2.41386Fr. 1’206.93
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 2.00077Fr. 6’002.31
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.94000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.34014
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