
SQJB46ELP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SQJB46ELP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJB46ELP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJB46ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJB46ELP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 30 A (Tc) 34W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 30 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2100pF a 25V | |
Potenza - Max | 34W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.15000 | Fr. 1.15 |
| 10 | Fr. 0.79500 | Fr. 7.95 |
| 100 | Fr. 0.59840 | Fr. 59.84 |
| 500 | Fr. 0.47246 | Fr. 236.23 |
| 1’000 | Fr. 0.43194 | Fr. 431.94 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.39827 | Fr. 1’194.81 |
| 6’000 | Fr. 0.36613 | Fr. 2’196.78 |
| 9’000 | Fr. 0.35476 | Fr. 3’192.84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.15000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.24315 |

