Name: SIHB12N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N50E-GE3-ND
Price: 1.00533 CHF
Availability: OutOfStock

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SIHB12N50E-GE3
Codice DigiKey	SIHB12N50E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHB12N50E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 10,5 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	886 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SIHB12