


SIHB105N60EF-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIHB105N60EF-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB105N60EF-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 29 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 102mohm a 13A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 53 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1804 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.67000 | Fr. 2.67 |
50 | Fr. 1.62800 | Fr. 81.40 |
100 | Fr. 1.52880 | Fr. 152.88 |
500 | Fr. 1.37700 | Fr. 688.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.67000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.88627 |