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SIHB18N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB18N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB18N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 92 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 179W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 202mohm a 9A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK20G60WRVQCT-ND | Fr. 3.51000 | Diretto |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | Fr. 4.02000 | Simile |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 4’804 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | Fr. 4.57000 | Simile |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4’207 | 238-IXFA22N65X2-ND | Fr. 6.09000 | Simile |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | Fr. 2.49367 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.42040 | Fr. 1’420.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.42040 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.53545 |
