Name: SIHB18N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB18N60E-GE3-ND
Price: 1.62721 CHF
Availability: OutOfStock

SIHB18N60E-GE3 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.

Sostituti disponibili:

Diretto

TK20G60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

In magazzino: 611

Prezzo unitario : Fr. 3.36000

Scheda tecnica

Simile

FCB199N65S3

onsemi

In magazzino: 598

Prezzo unitario : Fr. 2.93000

Scheda tecnica

Simile

IPB60R165CPATMA1

Infineon Technologies

In magazzino: 2’108

Prezzo unitario : Fr. 2.48000

Scheda tecnica

Simile

IXFA22N65X2

IXYS

In magazzino: 5’379

Prezzo unitario : Fr. 5.26000

Scheda tecnica

Simile

IXFA24N60X

IXYS

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 2.56090

Simile

IXFA30N60X

IXYS

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 2.88850

Simile

IXTA24N65X2

IXYS

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 5.15000

Scheda tecnica

Simile

STB21N65M5

STMicroelectronics

In magazzino: 4’524

Prezzo unitario : Fr. 4.21000

Scheda tecnica

Simile

STB28N60M2

STMicroelectronics

In magazzino: 1’693

Prezzo unitario : Fr. 2.09000

Scheda tecnica

Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIHB18N60E-GE3
Codice DigiKey	SIHB18N60E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHB18N60E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	202mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1640 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	179W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SIHB18

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Disponibile su ordinazione

Verifica i tempi di consegna

Questo prodotto non è disponibile in magazzino presso DigiKey. I tempi di consegna indicati riguarderanno la spedizione dal produttore a DigiKey. Una volta ricevuto il prodotto, DigiKey provvederà alla spedizione al cliente per evadere gli ordini aperti.

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.50528	Fr. 1’505.28

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.