TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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SIHB21N65EF-GE3

Codice DigiKey
SIHB21N65EF-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHB21N65EF-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
180mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2322 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.71000Fr. 4.71
50Fr. 2.48640Fr. 124.32
100Fr. 2.27110Fr. 227.11
500Fr. 1.89426Fr. 947.13
1’000Fr. 1.82600Fr. 1’826.00
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.09151