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SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB21N65EF-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 106 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2322 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.92000 | Fr. 4.92 |
| 50 | Fr. 2.59040 | Fr. 129.52 |
| 100 | Fr. 2.36630 | Fr. 236.63 |
| 500 | Fr. 1.97366 | Fr. 986.83 |
| 1’000 | Fr. 1.84761 | Fr. 1’847.61 |
| 2’000 | Fr. 1.77807 | Fr. 3’556.14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.92000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.31852 |
