


SIHB23N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB23N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB23N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 95 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2418 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 158mohm a 12A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 1’192 | 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND | Fr. 4.64000 | Simile |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4’207 | 238-IXFA22N65X2-ND | Fr. 6.09000 | Simile |
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | 3’286 | R6020KNJTLCT-ND | Fr. 3.72000 | Simile |
| STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 515 | 497-15423-1-ND | Fr. 3.12000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.05000 | Fr. 4.05 |
| 50 | Fr. 2.10040 | Fr. 105.02 |
| 100 | Fr. 1.91150 | Fr. 191.15 |
| 500 | Fr. 1.58060 | Fr. 790.30 |
| 1’000 | Fr. 1.47434 | Fr. 1’474.34 |
| 2’000 | Fr. 1.38505 | Fr. 2’770.10 |
| 5’000 | Fr. 1.37396 | Fr. 6’869.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.37805 |

