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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB24N65ET5-GE3

Codice DigiKey
SIHB24N65ET5-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHB24N65ET5-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
24 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
145mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2740 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SIHB24
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 2.13000Fr. 1’704.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.13000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.30253