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SIHB24N80AE-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB24N80AE-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 21 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 184mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 89 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1836 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 914
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.38000 | Fr. 2.38 |
| 50 | Fr. 1.68520 | Fr. 84.26 |
| 100 | Fr. 1.61500 | Fr. 161.50 |
| 500 | Fr. 1.33366 | Fr. 666.83 |
| 1’000 | Fr. 1.24171 | Fr. 1’241.71 |
| 2’000 | Fr. 1.22544 | Fr. 2’450.88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.57278 |
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