Name: SIHB24N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB24N80AE-GE3-ND
Price: 3.72945 CHF
Availability: InStock

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SIHB24N80AE-GE3
Codice DigiKey	742-SIHB24N80AE-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHB24N80AE-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 21 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	184mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1836 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SIHB24

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.45000	Fr. 3.45
50	Fr. 1.76860	Fr. 88.43
100	Fr. 1.60590	Fr. 160.59
500	Fr. 1.32068	Fr. 660.34
1’000	Fr. 1.22910	Fr. 1’229.10
2’000	Fr. 1.20000	Fr. 2’400.00

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