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SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB25N50E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 26 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 145mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1980 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 1’000
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.58000 | Fr. 3.58 |
| 10 | Fr. 2.38200 | Fr. 23.82 |
| 100 | Fr. 1.68910 | Fr. 168.91 |
| 500 | Fr. 1.42162 | Fr. 710.81 |
| 1’000 | Fr. 1.36546 | Fr. 1’365.46 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.86998 |
Svizzera