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SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | Fr. 5.57000 | Simile |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | Fr. 4.45757 | Simile |
| STB11NM60T4 | STMicroelectronics | 1’444 | 497-6545-1-ND | Fr. 4.41000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.21000 | Fr. 2.21 |
| 10 | Fr. 1.42800 | Fr. 14.28 |
| 100 | Fr. 0.97970 | Fr. 97.97 |
| 500 | Fr. 0.78806 | Fr. 394.03 |
| 1’000 | Fr. 0.72649 | Fr. 726.49 |
| 2’000 | Fr. 0.67470 | Fr. 1’349.40 |
| 5’000 | Fr. 0.61870 | Fr. 3’093.50 |
| 10’000 | Fr. 0.60373 | Fr. 6’037.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.21000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.38901 |



