Simile



SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 25 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 600mohm a 3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 820 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.13000 | Fr. 2.13 |
| 10 | Fr. 1.37000 | Fr. 13.70 |
| 100 | Fr. 0.94030 | Fr. 94.03 |
| 500 | Fr. 0.75636 | Fr. 378.18 |
| 1’000 | Fr. 0.69726 | Fr. 697.26 |
| 2’000 | Fr. 0.64756 | Fr. 1’295.12 |
| 5’000 | Fr. 0.62000 | Fr. 3’100.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.13000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.30253 |


