Name: SIHD6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N65E-GE3-ND
Price: 2.02147 CHF
Availability: InStock

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SIHD6N65E-GE3
Codice DigiKey	SIHD6N65E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHD6N65E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIHD6N65E-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	600mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	820 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	78W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SIHD6

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 1.87000	Fr. 1.87
75	Fr. 0.85373	Fr. 64.03
150	Fr. 0.76940	Fr. 115.41
525	Fr. 0.64935	Fr. 340.91
1’050	Fr. 0.59740	Fr. 627.27
2’025	Fr. 0.55582	Fr. 1’125.54
5’025	Fr. 0.52000	Fr. 2’613.00

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