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SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 2’752
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.95000 | Fr. 1.95 |
| 75 | Fr. 0.88947 | Fr. 66.71 |
| 150 | Fr. 0.80167 | Fr. 120.25 |
| 525 | Fr. 0.67659 | Fr. 355.21 |
| 1’050 | Fr. 0.62244 | Fr. 653.56 |
| 2’025 | Fr. 0.57911 | Fr. 1’172.70 |
| 5’025 | Fr. 0.52978 | Fr. 2’662.14 |
| 10’050 | Fr. 0.50635 | Fr. 5’088.82 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.95000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.10795 |
