Name: SIHD6N65ET4-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N65ET4-GE3-ND
Price: 0.57726 CHF
Availability: OutOfStock

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SIHD6N65ET4-GE3
Codice DigiKey	SIHD6N65ET4-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHD6N65ET4-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	E
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	600mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	820 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	78W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SIHD6

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Nastrato in bobina (TR)