
SIHD7N60E-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIHD7N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD7N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHD7N60E-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Sfuso | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 600mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 680 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.93000 | Fr. 1.93 |
10 | Fr. 1.19900 | Fr. 11.99 |
100 | Fr. 0.97420 | Fr. 97.42 |
500 | Fr. 0.81124 | Fr. 405.62 |
1’000 | Fr. 0.72393 | Fr. 723.93 |
3’000 | Fr. 0.67027 | Fr. 2’010.81 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.93000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.08633 |