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SIHF540STRL-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIHF540STRL-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHF540STRL-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 31 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 150W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 77mohm a 17A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF540SPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF540SPBF-ND | Fr. 2.40000 | Equivalente parametrico |
| IRF540STRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF540STRLPBFCT-ND | Fr. 3.05000 | Equivalente parametrico |
| IRF540STRRPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF540STRRPBFCT-ND | Fr. 3.05000 | Equivalente parametrico |
| SIHF540S-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF540S-GE3-ND | Fr. 0.55258 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 1.15048 | Fr. 920.38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.15048 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.24367 |
