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SIHFS11N50A-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHFS11N50A-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHFS11N50A-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 11A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 41 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 11 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1423 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 500 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 520mohm a 6,6A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | 915 | IRFS11N50APBF-ND | Fr. 3.27000 | Equivalente parametrico |
| IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | 273 | IRFS11N50ATRLPCT-ND | Fr. 3.27000 | Equivalente parametrico |
| IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | 0 | IRFS11N50ATRRPCT-ND | Fr. 3.27000 | Equivalente parametrico |
| IXFA12N50P | IXYS | 278 | IXFA12N50P-ND | Fr. 4.82000 | Simile |
| IXTA15N50L2 | IXYS | 85 | IXTA15N50L2-ND | Fr. 14.15000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.82657 | Fr. 826.57 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.82657 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89352 |
