SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SIHG22N50D-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Diretto

Microchip Technology

In magazzino: 154

Prezzo unitario : Fr. 3.50000

Simile

IXYS

In magazzino: 28

Prezzo unitario : Fr. 6.05000

Simile

IXYS

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 0.00000

Simile

IXYS

In magazzino: 683

Prezzo unitario : Fr. 6.66000

Simile

IXYS

In magazzino: 708

Prezzo unitario : Fr. 7.19000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIHG22N50D-GE3
Codice DigiKey	SIHG22N50D-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHG22N50D-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 22 A (Tc) 312W (Tc) Foro passante TO-247AC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	230mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1938 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	312W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247AC
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	SIHG22