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SIHG33N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHG33N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHG33N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 32,4 A (Tc) 313W (Tc) Foro passante TO-247AC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 173 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4040 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247AC |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 105mohm a 16,5A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (10)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT38N60BC6-ND | Fr. 5.06356 | Simile |
| FCH104N60F-F085 | onsemi | 411 | FCH104N60F-F085OS-ND | Fr. 5.83000 | Simile |
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 234 | IPW60R099P6XKSA1-ND | Fr. 5.32000 | Simile |
| IXTH32N65X | IXYS | 0 | IXTH32N65X-ND | Fr. 4.94133 | Simile |
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-SPW32N50C3FKSA1-ND | Fr. 8.68000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 500 | Fr. 3.29186 | Fr. 1’645.93 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.29186 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.55850 |
