
SIHH080N60E-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIHH080N60E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIHH080N60E-T1-GE3 |
Descrizione | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 32 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 80mohm a 17A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 63 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2557 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 184W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 8 x 8 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.34000 | Fr. 4.34 |
| 10 | Fr. 3.17500 | Fr. 31.75 |
| 100 | Fr. 2.28660 | Fr. 228.66 |
| 500 | Fr. 2.25338 | Fr. 1’126.69 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.84100 | Fr. 5’523.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.69154 |

