Name: SIHH21N60EF-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH21N60EF-T1-GE3TR-ND
Price: 2.25389 CHF
Availability: OutOfStock

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SIHH21N60EF-T1-GE3
Codice DigiKey	SIHH21N60EF-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHH21N60EF-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 19 A (Tc) 174W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	19 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	185mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2035 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	174W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 8 x 8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	SIHH21

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Nastrato in bobina (TR)