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Novità in DigiKey
Canale N 60 V 7,7 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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SIHLR014TRL-GE3

Codice DigiKey
742-SIHLR014TRL-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIHLR014TRL-GE3
Descrizione
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 7,7 A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
200mohm a 4,6A, 5V
Produttore
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.4 nC @ 5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
400 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 25W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 5V
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRLR014PBFVishay Siliconix0IRLR014PBF-NDFr. 1.67000Equivalente parametrico
IRLR014TRLPBFVishay Siliconix0IRLR014TRLPBF-NDFr. 0.43502Equivalente parametrico
IRLR014TRPBFVishay Siliconix0IRLR014PBFCT-NDFr. 1.67000Equivalente parametrico
SIHLR014-GE3Vishay Siliconix0742-SIHLR014-GE3TR-NDFr. 0.19445Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.18763Fr. 562.89
6’000Fr. 0.18268Fr. 1’096.08
9’000Fr. 0.18020Fr. 1’621.80
15’000Fr. 0.17745Fr. 2’661.75
21’000Fr. 0.17584Fr. 3’692.64
30’000Fr. 0.17430Fr. 5’229.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.18763
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.20283