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SIHP15N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP15N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP15N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP15N65E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 96 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 34W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 280mohm a 8A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP13N60N | onsemi | 0 | FCP13N60NFS-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| FCP16N60 | onsemi | 1’722 | FCP16N60-ND | Fr. 3.94000 | Simile |
| FCP260N65S3 | onsemi | 774 | FCP260N65S3-ND | Fr. 3.07000 | Simile |
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R280C6XKSA1-ND | Fr. 1.21266 | Simile |
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPP65R225C7XKSA1-ND | Fr. 3.01000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.45159 | Fr. 1’451.59 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.45159 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.56917 |
