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SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP21N80AE-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1388 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 235mohm a 11A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | Fr. 3.16000 | Simile |
| FCP290N80 | onsemi | 0 | FCP290N80OS-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| TK16E60W5,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60W5S1VX-ND | Fr. 3.83000 | Simile |
| TK17E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 92 | TK17E80WS1X-ND | Fr. 5.36000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.37000 | Fr. 4.37 |
| 50 | Fr. 2.28100 | Fr. 114.05 |
| 100 | Fr. 2.07890 | Fr. 207.89 |
| 500 | Fr. 1.72488 | Fr. 862.44 |
| 1’000 | Fr. 1.61122 | Fr. 1’611.22 |
| 2’000 | Fr. 1.52100 | Fr. 3’042.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.37000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.72397 |



