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SIHP28N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP28N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP28N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP28N65E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 140 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3405 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 112mohm a 14A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP125N60E | onsemi | 232 | FCP125N60E-ND | Fr. 4.83000 | Simile |
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | 1’683 | 448-IPP60R099P7XKSA1-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 2’332 | IPP60R125CPXKSA1-ND | Fr. 5.78000 | Simile |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 621 | 497-11335-5-ND | Fr. 9.13000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.30095 | Fr. 2’300.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.30095 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.48733 |
