SIHR080N60E-T1-GE3
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SIHR080N60E-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIHR080N60E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIHR080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHR080N60E-T1-GE3
Descrizione
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 51 A (Tc) 500W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIHR080N60E-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
51 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
84mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2557 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 8 x 8
Contenitore/involucro
8-PowerSMD, ad ala di gabbiano
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In magazzino: 1’990
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 5.84000Fr. 5.84
10Fr. 4.10700Fr. 41.07
100Fr. 3.12120Fr. 312.12
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 2.72832Fr. 5’456.64
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 5.84000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 6.31304