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SIHU6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHU6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHU6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Foro passante IPAK (TO-251) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore IPAK (TO-251) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V | Codice componente base |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.54593 | Fr. 1’637.79 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.54593 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.59015 |
