
SIJ478DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIJ478DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIJ478DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIJ478DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIJ478DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIJ478DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 54 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1855 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.15000 | Fr. 1.15 |
10 | Fr. 0.95400 | Fr. 9.54 |
100 | Fr. 0.75770 | Fr. 75.77 |
500 | Fr. 0.60404 | Fr. 302.02 |
1’000 | Fr. 0.57895 | Fr. 578.95 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.49197 | Fr. 1’475.91 |
6’000 | Fr. 0.47300 | Fr. 2’838.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.15000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.24315 |