SQJA80EP-T1_GE3
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SIJ4819DP-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIJ4819DP-T1-GE3
Descrizione
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIJ4819DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11,5A (Ta), 44,4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
20,7mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3420 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 73,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Product Questions and Answers

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In magazzino: 2’876
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.42000Fr. 2.42
10Fr. 1.57100Fr. 15.71
100Fr. 1.08640Fr. 108.64
500Fr. 0.90820Fr. 454.10
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.74200Fr. 2’226.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.61602