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SIJ4819DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIJ4819DP-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIJ4819DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 20,7mohm a 10A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,6V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3420 pF @ 40 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 73,5W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
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In magazzino: 8’831
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.52000 | Fr. 2.52 |
| 10 | Fr. 1.63700 | Fr. 16.37 |
| 100 | Fr. 1.13190 | Fr. 113.19 |
| 500 | Fr. 0.91598 | Fr. 457.99 |
| 1’000 | Fr. 0.88437 | Fr. 884.37 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.75855 | Fr. 2’275.65 |
| 6’000 | Fr. 0.72252 | Fr. 4’335.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.52000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.72412 |
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