PowerPAK 1212-8SH
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SISH434DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISH434DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISH434DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISH434DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SISH434DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 17,6 A (Ta), 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17,6 A (Ta), 35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,6mohm a 16,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1530 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8SH
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8SH
Codice componente base
SISH434
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In magazzino: 3’131
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.13000Fr. 1.13
10Fr. 0.78200Fr. 7.82
100Fr. 0.58100Fr. 58.10
500Fr. 0.45820Fr. 229.10
1’000Fr. 0.41868Fr. 418.68
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.36851Fr. 1’105.53
6’000Fr. 0.35280Fr. 2’116.80
9’000Fr. 0.34614Fr. 3’115.26
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.13000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.22153