
SIJH800E-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIJH800E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJH800E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJH800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIJH800E-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,55mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 210 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 10230 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,3W (Ta), 333W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 8 x 8 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 4.06000 | Fr. 4.06 |
10 | Fr. 3.03800 | Fr. 30.38 |
100 | Fr. 2.18190 | Fr. 218.19 |
500 | Fr. 2.12976 | Fr. 1’064.88 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 1.74000 | Fr. 3’480.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.06000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.38886 |